Varam kautko salodēt: jūlijs 2019

Схема резонансного микро-БТГ для “Вечного Светодиода”.
"Eternal LED" - micro free energy circuit

Транзистор КТ603: КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КЕ603Д, КТ603Е

Транзистор КТ603 - структуры n-p-n, эпитаксиально-планарный, кремниевый. Основное применение - высокочастотные переключающие и импульсные устройства. Имеет гибкие выводы и металло-стеклянный корпус. На корпусе указывается тип транзистора. Масса - 1.75 г.

Цоколевка транзистора КТ603

Цоколевка КТ603 показана на рисунке.

Электрические параметры транзистора КТ603

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером:
при U_кб = 2 В, I_э = 150 мА:
2Т603А, 2Т603В, КТ603Д	20 ÷ 80
КТ603А, КТ603В	10 ÷ 80
2Т603Б, 2Т603Г	60 ÷ 180
КТ603Б, КТ603Г, не менее	60
КТ603Е	60 ÷ 200
при I_э = 350 мА для 2Т603И, не менее	20
типовое значение	50
при Т = −60°C, I_э = 150 мА:
2Т603А, 2Т603В	8 ÷ 80
2Т603Б, 2Т603Г	20 ÷ 180
2Т603И, не менее	8
при Т = +125°C, I_э = 150 мА:
2Т603А, 2Т603В	20 ÷ 180
2Т603Б, 2Т603Г	60 ÷ 400
2Т603И, не менее	20

• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ при U_кэ = 10 В, I_э = 30 мА, не менее	200 МГц
типовое значение	370 МГц

• Напряжение насыщения К-Э:
при I_к = 150 мА, I_б = 15 мА:
2Т603А, 2Т603Б 2Т603В, 2Т603Г, не более	0.8 В
типовое значение	0.2 В
КТ603А, КТ603Б КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е не более	1 В
при I_к = 350 мА, I_б = 50 мА для 2Т603И, не менее	1.2 В

• Напряжение насыщения Б-Э:
при I_к = 150 мА, I_б = 15 мА:
2Т603А, 2Т603Б 2Т603В, 2Т603Г, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более	1.5 В
типовое значение	0.9 В
при I_к = 350 мА, I_б = 50 мА для 2Т603И, не более	1.3 В
типовое значение	1 В

• Время рассасывания при I_к = 150 мА, I_б = 15 мА:
2Т603А, 2Т603Б 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И, не более	70 нс
типовое значение	40 нс
КТ603А, КТ603Б КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более	100 нс

• Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при I_э = 30 мА, U_кб = 10 В, f = 5 МГц, не более	400 пс
типовое значение	25 пс

• Ёмкость коллекторного перехода при U_кб = 10 В, f = 5 МГц, не более	15 пФ
типовое значение	3 пФ

• Ёмкость эмиттерного перехода при U_эб = 0, f = 5 МГц, не более	40 пФ
типовое значение	35 пФ

• Обратный ток коллектора, не более:
при Т = +25°C и U_{кб о} = 30 В:
2Т603А, 2Т603В, 2Т603И	3 мкА
КТ603А, КТ603Б	10 мкА
при U_{кб о} = 15 В:
2Т603В, 2Т603Г	3 мкА
КТ603В, КТ603Г	5 мкА
при U_{кб о} = 10 В для КТ603Д, КТ603Е	1 мкА
при Т = +125°C и U_{кб о} = 24 В для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И	60 мкА
при U_{кб о} = 12 В для 2Т603В, 2Т603Г	60 мкА

• Обратный ток эмиттера, не более:
при U_{эб о} = 3 В для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е	3 мкА
при U_{эб о} = 4 В для 2Т603И	3 мкА

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ603

• Напряжение К-Б и К-Э (постоянное) при R_бэ = 1 КОм:
Т_п = +70°C:
КТ603А, КТ603Б	30 В
КТ603В, КТ603Г	15 В
КТ603Д, КТ603Е	10 В
Т_п = +100°C:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И	30 В
2Т603В, 2Т603Г	15 В
Т_п = +120°C:
КТ603А, КТ603Б	15 В
КТ603В, КТ603Г	7.5 В
КТ603Д, КТ603Е	10 В
Т_п = +125°C:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И	24 В
2Т603В, 2Т603Г	12 В
Т_п = +150°C:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И	18 В
2Т603В, 2Т603Г	9 В

• Напряжение Э-Б	5 В
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г	3 В
2Т603И при Т_п = +70°C	4 В
2Т603И при Т_п = +125°C	3 В

• Ток коллектора (постоянный)	300 мА

• Ток коллектора (импульсный) при t_и ≤ 10 мкс, Q = 10	600 мА

• Рассеиваемая мощность (постоянная):
при Т = +50°C	0.5 Вт
при Т = +85°C для КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е и Т = +125°C для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603Г, 2Т603И	0.12 Вт

• Тепловое сопротивление переход-среда	200°С/Вт

• Температура p-n перехода:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И	+150°C
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е	+120°C

• Температура окружающей среды:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И	−60...+125°C
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е	−40...+85°C